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大家好，我说的是电源。 上一篇文章简单分析了微型逆变电路DC/DC部分的拓扑结构。 继上文，本文对逆变部分的电路拓扑进行简要分析，这样就有了完整的拓扑分析。 过程。

逆变部分主要是全桥拓扑结构。 全桥电路连接反激变换器的输出端，全桥电路对反激变换器输出的整流电压进行扩展变换，以控制对电网的供电。 流动的方向。

全桥扩展电路的MOSFET隔离驱动电路如图1所示。 以下电路采用双输出驱动芯片MCP14E4-E/SN。

图1 全桥扩展电路的驱动电路

图2 全桥扩展电路的驱动电路隔离部分

下面重点介绍一下这个驱动电路的特点和作用。 为了保持控制器与高压交流电路之间的电气隔离，门级驱动变压器用于驱动高侧和低侧 MOSFET。 这里，使用固定占空比为 50% 的高频 228kHz 驱动信号来驱动门级变压器。 为了避免栅极驱动变压器的磁饱和，陶瓷电容器放置在驱动器 IC 的输出和栅极驱动变压器之间的串联回路上。 这些电容器去除了直流偏置分量，并将用 6V 驱动信号驱动 MOSFET。

在驱动变压器的输出端是一个低通滤波器，它产生纯直流电压以两倍总线频率驱动全桥的MOSFET。 为了降低器件的开关损耗，MOSFET开关在电压或电流的零交叉点进行开关。 这里先说一下门级放电的特殊性。 光耦合器跨过全桥 MOSFET 的栅源级以建立快速放电路径。 当MOSFET关断时，如果没有光耦放电路径，唯一的栅级电压放电路径是栅源级下拉电阻，全桥展开电路如图3所示。

图3 全桥展开电路结构

这里可以看出门级驱动是通过驱动变压器隔离驱动的，同时通过光耦隔离电路产生门级快速放电通路。

全桥扩展电路的工作波形如图4所示。在一个交流半周期内，PWM3H开关驱动扩展电路的桥臂Q2和Q5。 当交流电压接近0时，PWM3H不工作，光耦使能OPTO_DRV1。 在另一个交流半周期，PWM3L 驱动 MOSFET Q3 和 Q4，它们的工作方式类似。 从图中可以看出，交流电压启动时，PWM波形使能，输出电压从0开始。

图4 逆变电路的驱动波形

由于输出交流电压，EMI电路是必不可少的部分。 这里有一个 EMI 滤波器连接到全桥扩展电路的输出端。 EMI滤波器具体由共模电感L6、共模电容C48、C52、差模滤波器C51和L4、L7组成。 该滤波器设计有适当降额的现成设备。 EMI滤波器的输出端是一个430V的压敏电阻，跨过L、N端起到保护作用，主要是瞬态电压尖峰保护。 压敏电阻之后是两个保险丝，一个在AC的L线路径上，另一个在N线路径上，最后一个与保险丝串联的元件是铁氧体磁珠，后面是输出连接器，铁氧体氧磁珠帮助抑制高频成分。 EMI滤波器的电路图如图5所示。

图 5 逆变器输出 EMI 电路

这里我们也顺便解释一下什么是压敏电阻。 MOV金属氧化物压敏电阻主要由氧化锌ZnO组成。 它是一个非线性电阻全桥逆变，类似于带有阈值的开关。 这种电阻的特点是浪涌电流容限和非线性系数都很大。 当阈值电压低于阈值电压时，它的阻抗很大，没有电流通过。 当超过阈值电压时，两端电阻减小，相当于短路，可以在其上释放大电流，因此可以作为电子电路的保护器件，可以吸收异常电压例如雷电浪涌电压。

以上就是微型逆变电路中逆变全桥主电路和EMI滤波部分的基本组成和作用。

参考：AN1444 并网太阳能微型逆变器参考设计

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