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负载工作时，采样电压被反馈，以稳定本发明的电压输出。

其实你可以想象一下。 有那些需要正负极的电子元器件，一般不需要电阻和电感。 一般来说，如果二极管坏了，可能会被击穿。 只要电压正常，一般是没有问题的。 三极管不会导通。 稳压管正负接反会损坏，但一般有些电路是利用二极管的单向导通来保护的。 现在是电容，电容里面的正负极都是电解电容。 如果正负极接反严重的话，外壳就会爆裂。

主要元件是二极管。 开关管振荡变压器。 采样。 调整管子的宽度。 还有振荡电路的阻容、开关电路的原理等参数。

逆变器主要功率元件的选择非常重要。 目前，在小容量低压系统中，使用最多的功率元件有达林顿功率晶体管（BJT）、功率场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等，使用最多的器件是MOSFET，因为MOSFET导通压降低，开关频率高，IGBT模块一般用于高压大容量系统。 这是因为随着电压的升高，MOSFET的导通电阻也随之增大全桥逆变电路工作原理，IGBT在中容量系统中具有更大的优势，而在超大容量（100KVA以上）系统中，一般采用GTO作为功率元件。

大件：场效应管或IGBT、变压器、电容、二极管、比较器、3525等主控。AC-DC-AC逆变器还有整流滤波。

功率和精度与电路的复杂程度有关。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种新型的功率半导体场控自关断器件。 它集成了功率MOSFET的高速性能和双极型器件的低电阻特性。 它具有输入阻抗高、压控功耗低、控制电路简单等特点。 、耐压高、电流大等特点，在各种电源变换中得到广泛应用。 同时，各大半导体厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下的制造工艺，并取得了一些新进展在研发方面。

一、全控逆变器工作原理

是常用的单相输出全桥逆变主电路，交流元件采用IGBT管Q11、Q12、Q13、Q14。 而IGBT管的导通或截止是通过PWM脉宽调制来控制的。

当逆变电路接入直流电源时，Q11、Q14先导通全桥逆变电路工作原理，Q1、Q13截止，电流从直流电源的正极输出，再经Q14流回Q14 Q11、L即电感，与变压器的初级线圈如图1-2所示。 到电源的负极。 当Q11、Q14截止时，Q12、Q13导通，电流从电源正极经Q13和变压器初级线圈2-1的电感流向电源负极到 Q12。 这时，在变压器的初级线圈上已经形成了正负交替的方波。 采用高频PWM控制，两对IGBT管交替重复在变压器上产生交流电压。 由于LC交流滤波器的作用，输出端形成正弦波交流电压。

当Q11和Q14关断时，为了释放储存的能量，在IGBT处并联了二极管D11和D12，将能量返回给直流电源。

2、半控逆变器的工作原理

半控逆变器使用晶闸管元件。 Th1和Th2是交替工作的晶闸管。 如果 Th1 先被触发，则电流通过变压器流过 Th1。 同时，由于变压器的感应作用，换向电容C被充电至电源电压的两倍。 Th2被触发导通，Th1因Th2阳极施加反向偏压而关断，回到阻断状态。 这样，Th1与Th2换向，电容C反极性充电。 这样晶闸管交替触发，电流交替流向变压器原边，在变压器副边得到交流电。

在电路中，电感L可以限制换流电容C的放电电流，延长放电时间，保证电路的关断时间比晶闸管关断时间长，不需要大容量的电容。 D1和D2是两个反馈二极管，可以释放电感L中的能量，将换流剩余的能量送回电源，完成能量回馈功能。